دراسة بعض الخواص الكهربائية للأغشية (Se0.2Te0.8) 2 CuIn و Cu In (Se0.8 Te0.2) 2 رقيقة

المؤلفون

  • صباح انور سلمان جامعة ديالى/ كلية العلوم
  • د.تحسين حسين مبارك جامعة ديالى/ كلية العلوم
  • اسعد احمد كامل جامعة ديالى/ كلية العلوم

الملخص

تم قياس المقاومية لأغشية (Se0.2Te0.8)2 CuIn و CuIn (Se0.8 Te0.2)2 الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ بسمك قدره (2255nm) ضمن المدى الحراري (300-473K) للعينات كما تم ترسيبها وللعينات التي خضعت الى عملية التلدين عند درجات الحرارة (373 K) و (473 K) لمدة ساعة بوجود الفراغ (10-2Torr).

المراجع

References

M. Leon “Preparation and some semiconducting properties of 0.2

CuIn (Sex Te1-x)2 thin films grown by triode sputtering” Eighth

E. C. photovoltaic solar energy confer

R. Diaz “Preparation and some semiconducting properties of

CuIn (Sex Te1-x)2 Thin films grown by thermal evaporation”

Eighth E.C. photvoltaic solar energy conference. Proceedings of

the international conference, helt at Florence, Italy, 9-13 May,

Vol.2, (1988), P. 1075.

F. Rueda “Composition effects in flash evaporated of

CuIn (Sex Te1-x)2 thin films” J. Vac. Sci. Technol. A 12 (6),

Nov./ Dec., (1994), P. 3082.

R. A. Smith “Semiconductors” 2nd edition, (1987).

R. Fowles “Introduction to Modern Optics” 2nd edition, (1975).

R. J. Eiliott and A. F. Gibson “Introduction to solid state

physics and its applications” (1974).

C. Kittle “Introduction to solid state physics” 5th edition,

(1976)

التنزيلات

منشور

2023-05-24

كيفية الاقتباس

[1]
sabah anur salman, Tahsin Hussein Mubarak, و Asaad Ahmed Kamel, "دراسة بعض الخواص الكهربائية للأغشية (Se0.2Te0.8) 2 CuIn و Cu In (Se0.8 Te0.2) 2 رقيقة", jfath, م 10, عدد 2, 2023.