دراسة بعض الخواص الكهربائية للأغشية (Se0.2Te0.8) 2 CuIn و Cu In (Se0.8 Te0.2) 2 رقيقة
الملخص
تم قياس المقاومية لأغشية (Se0.2Te0.8)2 CuIn و CuIn (Se0.8 Te0.2)2 الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ بسمك قدره (2255nm) ضمن المدى الحراري (300-473K) للعينات كما تم ترسيبها وللعينات التي خضعت الى عملية التلدين عند درجات الحرارة (373 K) و (473 K) لمدة ساعة بوجود الفراغ (10-2Torr).
المراجع
References
M. Leon “Preparation and some semiconducting properties of 0.2
CuIn (Sex Te1-x)2 thin films grown by triode sputtering” Eighth
E. C. photovoltaic solar energy confer
R. Diaz “Preparation and some semiconducting properties of
CuIn (Sex Te1-x)2 Thin films grown by thermal evaporation”
Eighth E.C. photvoltaic solar energy conference. Proceedings of
the international conference, helt at Florence, Italy, 9-13 May,
Vol.2, (1988), P. 1075.
F. Rueda “Composition effects in flash evaporated of
CuIn (Sex Te1-x)2 thin films” J. Vac. Sci. Technol. A 12 (6),
Nov./ Dec., (1994), P. 3082.
R. A. Smith “Semiconductors” 2nd edition, (1987).
R. Fowles “Introduction to Modern Optics” 2nd edition, (1975).
R. J. Eiliott and A. F. Gibson “Introduction to solid state
physics and its applications” (1974).
C. Kittle “Introduction to solid state physics” 5th edition,
(1976)
التنزيلات
منشور
كيفية الاقتباس
إصدار
القسم
الرخصة
الحقوق الفكرية (c) 2023 د. صباح انور سلمان، د.تحسين حسين مبارك، اسعد احمد كامل
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution 4.0 International License.
حقوق النشر والترخيص
تطبق مجلة الفتح للبحوث التربوية والنفسية ترخيص CC BY (ترخيص Creative Commons Attribution 4.0 International). يسمح هذا الترخيص للمؤلفين بالاحتفاظ بملكية حقوق الطبع والنشر لأوراقهم. لكن هذا الترخيص يسمح لأي مستخدم بتنزيل المقالة وطباعتها واستخراجها وإعادة استخدامها وأرشفتها وتوزيعها ، طالما تم منح الائتمان المناسب للمؤلفين ومصدر العمل. يضمن الترخيص أن المقالة ستكون متاحة على نطاق واسع بقدر الإمكان وأن المقالة يمكن تضمينها في أي أرشيف علمي.
لمزيد من المعلومات، يرجى متابعة الرابط: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/.
